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字体: 小 中 大 | 打印 发布: 2007-8-24 06:15 作者: IBM公司和TDK公司近日宣布了一项合作研发计划,共同开发MRAM(磁阻RAM),该技术利用一种名为“自旋动量转移”的效应进行存储,据称可以大大提高存储密度。 MRAM有着存储单元体积小,功耗低,速度快和非易失性的优势。它拥有者无限的读写寿命,速度高于闪存,将来可以用在PC内存中以实现瞬间开机。目前,MRAM由于成本的问题而没有得到广泛采用。Freescale公司已经于去年首先宣布量产MRAM。
IBM公司和TDK公司近日宣布了一项合作研发计划,共同开发MRAM(磁阻RAM),该技术利用一种名为“自旋动量转移”的效应进行存储,据称可以大大提高存储密度。
MRAM有着存储单元体积小,功耗低,速度快和非易失性的优势。它拥有者无限的读写寿命,速度高于闪存,将来可以用在PC内存中以实现瞬间开机。目前,MRAM由于成本的问题而没有得到广泛采用。Freescale公司已经于去年首先宣布量产MRAM。
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